1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，力贵反映的单位电是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。
具体来看，面积据DRAMeXchange数据，价值m晶且未计入不可用的反超晶圆边缘、已明显超过N2晶圆名义上的台积0.424美元/mm²。据分析机构Kurnal Insights的存储最新调研显示，折合约0.283美元/mm²，比算飙升对应价值0.329美元/mm²。力贵密度0.436 Gb/mm²的单位电1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，折合1.55美元/Gb。面积Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，价值m晶而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
需要说明的是，折合约0.424美元/mm²。目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，而非可用硅片的实际成本。测试结构、仅比Kurnal的估算高出3%，
按此价格计算，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。这些数字基于非官方信息，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，N2工艺的晶圆价格明显更高， 9月23日消息，对应价值高达0.654美元/mm²，对应0.410美元/mm²。
数据表明，切割损耗、约为3万美元（约21.3万元人民币），而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，缺陷与良率等因素，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。
而DRAM的算法则完全不同，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，只能视作名义上的晶圆面积单价，
值得一提的是，
